驱动电路控制信号“死区”测试方法
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发布时间：2024-08-26 08:50:59
1、研究方法
a) 根据电路系统、器件规格和软件设计来推导理论值
b) 通过示波器来测试控制信号的延迟和不能同时导通器件的开关余量实际值
c) 通过理论值和实际值的对比来评估信号延迟和电路可靠性的关系
2、不能同时开通器件“死区”测量
a)死区测量意义
由于控制信号信号延迟现象，在前一时刻关闭的开关最后关闭的控制信号，会有延迟；在后一时刻打开的开关最先打开的控制信号，也会有延迟。由于不同开关（MOS/IGBT）传输路径和延迟不一样， 设计开关死区△ t1与实际开关死区△t2不会是严格一致的，而是存在一个差值。这个差值是不容易发现和规避的。要保证器件安全最好的办法是找到△t2是否临界，返回增大△t1的值。
b)实际测量
由于MOS/IGBT寄生电容，栅/门级从驱动开始到D-E开始导通，再到完全导通（深度饱和）有一个时间差。按理说应该测试D-E间电压差变化。不使用G-E间波形，但是由于部分期间由于浮地影响，无法确定D-E开关状态，故还是对G-E间电压进行测试 。
